自己温度補償型半導体ひずみゲージ

抵抗素子にN型シリコンを用い、被測定材の線膨脹係数に合わせ素材の抵抗温度係数をコントロールしたもの、温度による抵抗変化は極めて小さくなっています。（E5型除く）